功率半导体器件在移动通讯、消费电子、开关电源、马达驱动、LED驱动、新能源汽车、智能电网等领域发挥着越来越重要的作用，是降低功耗、提高效率的关键核心器件。华虹半导体近日宣布，其功率器件平台累计出货量突破500万片晶圆。
得益于市场对超级结MOSFET(“金氧半场效晶体管”)和IGBT(“绝缘栅双极型晶体管”)的强劲需求，华虹半导体独特且具竞争力的垂直沟槽型Super Junction MOSFET(“SJNFET”)以及场截止型IGBT累计出货量分别超过了200,000片和30,000片晶圆，并保持快速增长趋势。
目前，公司已推出第三代SJNFET工艺平台，技术参数达业界一流水平，可为客户提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。公司的场截止型IGBT技术参数可比肩国际领先企业，并具有出色的背面晶圆加工能力，是中国大陆唯一拥有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工厂商。
华虹半导体执行副总裁范恒先生表示：“功率MOSFET累计出货量突破500万片是华虹半导体的一个重要里程碑，越来越多的功率系统设计人员将目光投向我们，寻求绿色能源、快速充电、工业应用等方面领先的电源管理芯片代工方案。以绿色创‘芯’为主轴，我们还将重点关注整个新能源汽车的产业链，包括充电桩、电池保护、马达驱动等应用。此外，我们正在加速研发应用于高端工业和能源领域的超高压IGBT技术，相信会进一步巩固公司在功率器件领域的领先地位。”