近日，亚德诺半导体旗下凌力尔特公司推出一款具有 15dB 增益的宽带全差分放大器 LTC6432-15，该器件可提供高达 +50.3dBm OIP3 (输出三阶截取) 的线性度、非常高的 +22.7dBm OP1dB (输出 1dB 压缩点) 和 3.2dB 噪声指数 (在 150MHz)。除了其在高频条件下拥有的出色信噪比之外，它甚至在较低频率下也能保持其动态范围性能。这是因为和基于 GaAs 或 pHEMT FET 的放大器相比，LTC6432-15 先进的 SiGe 工艺双极型设计具有显著降低的 1/f 噪声频率拐角。因此，它的噪声指数在 100kHz 频率下仅上升至 6.6dB，而其他同类放大器的噪声指数则升高到 20dB 以上。LTC6432-15 可有效地为许多处理低频信号的应用扩展有效带宽和动态范围性能。而且，相比 GaAs 和 pHEMT FET 放大器，LTC6432-15 还在整个温度范围、电源范围和器件之间实现了优良的稳定性。
LTC6432-15 的高动态范围和至低频的扩展带宽拓宽了其实用性，并改善了它在众多放大器应用中的性能，包括高采样速率 A/D 转换器驱动器、电缆网络放大器、宽带信号源调理、雷达接收机 IF 放大器、软件定义无线电、VHF / UHF 广播无线电设备和 RF 测试仪器。
LTC6432-15 差分输入和输出在内部进行 100Ω 端接。其输入在 100kHz 至 1.4GHz 频段内匹配，并在整个带宽范围内具有优于 10dB 的回程损耗。另外，输出也在 100kHz 至 1GHz 频段内匹配。该放大器仅需 DC 隔离电容器 (布设在其输入和输出端)、两个用于提供正确偏置的扼流圈、和每个输出一个反馈电容器以将其卓越的增益平坦性扩展至低频。
LTC6432-15 采用单个 5V 电源供电运作。它吸收 166mA 的标称电源电流。该器件规格在 –40°C 至 85°C 的外壳温度范围内工作。LTC6432-15 采用 4mm x 4mm 塑料 QFN 封装，并可提供两种等级：具有所有典型参数性能的 B 级版本之千片批购价为每片 3.69 美元，而经过测试和提供保证之指标的较高性能 A 级版本为每片 6.44 美元。这两种等级的器件均有现货供应。